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Gas source molecular beam epitaxy : growth and properties of phosphorus containing III-V heterostructures

M.B. Panish, H. Temkin. -- :us, :gw. -- Springer, c1993. -- (Springer series in materials science ; v. 26). <BY00058921>
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Gas source molecular beam epitaxy : growth and properties of phosphorus containing III-V heterostructures

M.B. Panish, H. Temkin. -- :us, :gw. -- Springer, c1993. -- (Springer series in materials science ; v. 26). <BY00058921>
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No. 巻号 配架場所 請求記号 資料ID 状態 返却予定日 予約
0001 三田４Ｆ集密図書 624.9:476 0001286558 0件
No. 0001
巻号
配架場所 三田４Ｆ集密図書
請求記号 624.9:476
資料ID 0001286558
状態
返却予定日
予約 0件
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書誌詳細

標題および責任表示 Gas source molecular beam epitaxy : growth and properties of phosphorus containing III-V heterostructures / M.B. Panish, H. Temkin
出版事項 Berlin ; New York : Springer , c1993
形態 xiv, 428 p. : ill. ; 25 cm
シリーズ名等 Springer series in materials science <BY02001944> v. 26//a
巻号情報
巻次等 :us
ISBN 038756540X
巻号情報
巻次等 :gw
ISBN 354056540X
注記 Includes bibliographical references and index
NCID BA21664090
本文言語 英語
著者標目 *Panish, M. B. <AU00053086>
著者標目 Temkin, H. <AU00074577>
分類標目 LCC:QC611.6.M64
分類標目 DC20:621.3815/2
件名標目等 Molecular beam epitaxy
件名標目等 Gallium arsenide semiconductors
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